研究樣品的電表面狀態(tài) ， 專用于測(cè)量半導(dǎo)體樣品表面的電子功函數(shù)
掃描Kelvin Probe（開爾文探針）可以測(cè)量 CPD（接觸電位差）值，評(píng)估半導(dǎo)體和導(dǎo)電材料的功函數(shù)。該技術(shù)起源于19世紀(jì)末，
最早由英國(guó)科學(xué)家開爾文勛爵所提出，隨著科學(xué)技術(shù)的不斷進(jìn)步，開爾文探針技術(shù)逐漸得到改進(jìn)和完善，應(yīng)用領(lǐng)域也不斷擴(kuò)大。目前，
開爾文探針技術(shù)已經(jīng)成為表面科學(xué)、材料科學(xué)、微電子學(xué)等領(lǐng)域的重要研究手段。
「 適用研究范圍 」
·材料的功函數(shù) ·費(fèi)米能級(jí)的位置 · n或p型半導(dǎo)體
·半導(dǎo)體的能隙 ·表面電勢(shì) ·表面態(tài)密度
·表面充放電效應(yīng) ·少數(shù)載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度 ·溫度和濕度對(duì)功函數(shù)的影響
·更多特性
Instytut Fotonowy 公司提供多種配置的開爾文探針系統(tǒng)，滿足不同的應(yīng)用場(chǎng)景：
1. 單點(diǎn)開爾文探針系統(tǒng)：用于研究功函數(shù)，能夠精準(zhǔn)測(cè)量樣品表面特定位置的接觸電位差（CPD）。
2. 掃描開爾文探針系統(tǒng)：用于分析樣品的表面狀態(tài)，能夠評(píng)估表面缺陷、表面態(tài)密度等特性。
3. 電化學(xué)開爾文探針系統(tǒng)：這是一款創(chuàng)新的設(shè)備，專為直接測(cè)量與電解質(zhì)接觸的電化學(xué)樣品電子功函數(shù)設(shè) 計(jì)，無(wú)需干燥樣品表面，配備
了專用的電化學(xué)樣品池。
「 探針結(jié)構(gòu)圖 」
探頭尖端是 Instytut Fotonowy 獨(dú)家設(shè)計(jì)制造。其優(yōu)勢(shì)顯著，即便距樣品 0.5 mm仍能獲取強(qiáng)信號(hào)，故而樣品表面粗糙與否、是否拋光均
可，且具透光性，可使樣品受垂直光束照射。其尖端振蕩由電磁鐵驅(qū)動(dòng)。
「 完整型開爾文探針系統(tǒng) 」
突破傳統(tǒng)，消除接觸電勢(shì)差測(cè)量中的模糊性
Fotonowy 開發(fā)的完整型開爾文探針系統(tǒng)，解決了150年歷史中開爾文探針技術(shù)的關(guān)鍵瓶頸，尤其是在接觸電位差（CPD）測(cè)量時(shí)難以區(qū)分
樣品功函數(shù)變化與探針功函數(shù)變化的問(wèn)題。該系統(tǒng)不僅繼承了傳統(tǒng)開爾文探針的所有基本功能，還實(shí)現(xiàn)了精確測(cè)量樣品與探針相對(duì)于地面的
接觸電位差（CPD）。
精準(zhǔn)可靠，功能多樣的接觸電位差測(cè)量
本系統(tǒng)提供了更加精準(zhǔn)、可靠的接觸電位差測(cè)量方案，并為科研中的電位差測(cè)量設(shè)立了全新的標(biāo)準(zhǔn)。無(wú)論是在表面功函數(shù)研究、電子性能測(cè)
試，還是在材料表面狀態(tài)分析中，它都能提供無(wú)與倫比的測(cè)量精度，助力科研人員深入探究電化學(xué)和材料性能。
「 技術(shù)規(guī)格 」
系統(tǒng)概述：
· 測(cè)量技術(shù)：2通道鎖相放大器
· 激光屏障：自動(dòng)檢測(cè)基板并防止探針尖端撞擊樣品
· 輔助傳感器：濕度、溫度
· 小燈：激光指示器用于指示待測(cè)表面點(diǎn)
樣品夾具：自由形狀的固態(tài)頂端接觸夾具，底部接觸夾具， 電化學(xué)夾具
法拉第籠：標(biāo)準(zhǔn)型 / 氣密型帶惰性氣體流動(dòng)系統(tǒng)
測(cè)量單元：
· 偏置電壓范圍：-5 ~ 5 V
· 電壓測(cè)量分辨率：0.15 mV
· 電流范圍：300 nA，30 nA，3 nA，300 pA
探針尖端：
· 探針尖端類型：金網(wǎng)，直徑2.5mm
· 垂直軸上的定位分辨率：20μm
· 自動(dòng)共振頻率掃描，可調(diào)節(jié)的振動(dòng)幅度
· 自動(dòng)去除探針尖端的寄生電流
· 典型的CPD測(cè)量距離：0.2 ~ 1mm
XY控制平臺(tái)：
· 電動(dòng)：通過(guò)軟件控制
· 尺寸：50 x 50 mm
· 移動(dòng)范圍：50 x 50 mm
